|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrostatic characterization and threshold voltage modeling of inversion type InGaAs gate-all-around MOSFET |
| Auteur: |
Rahman, I. K. M. Reaz Khan, Md. Irfan Khosru, Quazi D. M. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 4 pagina's 1504-1512 |
| Jaar: |
2021-05-12 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |