|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
The reverse recovery characteristics of an SiC superjunction MOSFET with a p-type Schottky diode embedded at the drain side for improved reliability |
| Auteur: |
Vudumula, Pavan Kotamraju, Siva |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 3 pagina's 1187-1195 |
| Jaar: |
2021-04-05 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |