|
Capacitance matching by optimizing the geometry of a ferroelectric HfO2-based gate for voltage amplification |
|
|
|
Titel: |
Capacitance matching by optimizing the geometry of a ferroelectric HfO2-based gate for voltage amplification |
Auteur: |
Chen, K.-T. Hsiang, K.-Y. Liao, C.-Y. Chang, S.-H. Hsieh, F.-C. Liu, J.-H. Chiang, S.-H. Liang, H. Chang, S. T. Lee, M. H. |
Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
Paginering: |
Jaargang 20 () nr. 3 pagina's 1209-1215 |
Jaar: |
2021-04-19 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|