|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 65 van 71 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of the stacking arrangement on the device behavior of bilayer MoS2 FETs |
| Auteur: |
Mukhopadhyay, Arnab Kanungo, Sayan Rahaman, Hafizur |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 1 pagina's 161-168 |
| Jaar: |
2021-01-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 65 van 71 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |