|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 37 van 71 gevonden artikelen
| Titel: |
Maximum theoretical electron mobility in n-type Ge1−xSnx due to minimum doping requirement set by intrinsic carrier density |
| Auteur: |
Mukhopadhyay, Shyamal Mukhopadhyay, Bratati Sen, Gopa Basu, P. K. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 1 pagina's 274-279 |
| Jaar: |
2021-01-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 37 van 71 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |