|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation design of a high-breakdown-voltage p-GaN-gate GaN HEMT with a hybrid AlGaN buffer layer for power electronics applications |
| Auteur: |
Liu, Yong Yu, Qi Du, Jiangfeng |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 4 pagina's 1527-1537 |
| Jaar: |
2020-07-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |