|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of random number and location of the nanosized metal grains on the threshold voltage variability of silicon gate-all-around nanowire n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors |
| Auteur: |
Sung, Wen-Li Li, Yiming |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 4 pagina's 1478-1484 |
| Jaar: |
2020-08-14 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |