|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Three-dimensional analytical modeling for small-geometry AlInSb/AlSb/InSb double-gate high-electron-mobility transistors (DG-HEMTs) |
| Auteur: |
Venish Kumar, T. Balamurugan, N. B. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 3 pagina's 1107-1115 |
| Jaar: |
2020-04-22 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |