|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
A simulation study of the influence of a high-k insulator and source stack on the performance of a double-gate tunnel FET |
| Auteur: |
Karbalaei, Mohammad Dideban, Daryoosh Heidari, Hadi |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 3 pagina's 1077-1084 |
| Jaar: |
2020-04-22 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |