|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
A single-gate SOI nanosheet junctionless transistor at 10-nm gate length: design guidelines and comparison with the conventional SOI FinFET |
| Auteur: |
Rassekh, Amin Fathipour, Morteza |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 2 pagina's 631-639 |
| Jaar: |
2020-03-06 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |