|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
An ab initio study of the structural and optoelectronic properties of AlxGa1−xN (x = 0, 0.125, 0.375, 0.625, 0.875, and 1) semiconductors |
| Auteur: |
Kafi, A. Driss Khodja, F. Saadaoui, F. Chibani, S. Bentayeb, A. Driss Khodja, M. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. 1 pagina's 26-37 |
| Jaar: |
2019-12-10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |