|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
A center-potential-based threshold voltage model for a graded-channel dual-material double-gate strained-Si MOSFET with interface charges |
| Auteur: |
Suddapalli, Subba Rao Nistala, Bheema Rao |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 18 () nr. 4 pagina's 1173-1181 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 41 gevonden artikelen
| volgende >> |