|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
An analytical model for the surface potential and threshold voltage of a double-gate heterojunction tunnel FinFET |
| Auteur: |
Maity, N. P. Maity, Reshmi Baishya, Srimanta |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 18 (2018) nr. 1 pagina's 65-75 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |