|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
GaN-based double-gate (DG) sub-10-nm MOSFETs: effects of gate work function |
| Auteur: |
Mehedi, Ibrahim Mustafa Alshareef, Abdulaziz M. Islam, Md. Rafiqul Hasan, Md. Tanvir |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 17 (2018) nr. 2 pagina's 663-669 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |