|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 53 gevonden artikelen
| Titel: |
$$\hbox {In}_{0.7}\hbox {Ga}_{0.3}\hbox {As}/\hbox {InAs}/\hbox {In}_{0.7}\hbox {Ga}_{0.3}\hbox {As}$$In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite-channel double-gate (DG)-HEMT devices for high-frequency applications |
| Auteur: |
Saravana Kumar, R. Mohanbabu, A. Mohankumar, N. Godwin Raj, D. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (2017) nr. 3 pagina's 732-740 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 53 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |