|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 53 gevonden artikelen
| Titel: |
Design of high performance normally-off dual junction gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for high voltage application |
| Auteur: |
Bai, Zhiyuan Du, Jiangfeng Jiang, Zhiguang Yu, Qi |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (2017) nr. 3 pagina's 748-755 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 53 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |