|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
First-principles simulation of oxygen vacancy migration in $$\hbox {HfO}_{ x}$$HfOx, $$\hbox {CeO}_{ x}$$CeOx, and at their interfaces for applications in resistive random-access memories |
| Auteur: |
Bhatti, Aqyan A. Hsieh, Cheng-Chih Roy, Anupam Register, Leonard F. Banerjee, Sanjay K. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 15 (2016) nr. 3 pagina's 741-748 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |