|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain regions |
| Auteur: |
Charmi, Morteza Mashayekhi, Hamid R. Orouji, Ali A. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 13 (2013) nr. 1 pagina's 307-312 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |