|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
A two-dimensional analytical model of subthreshold behavior to study the scaling capability of deep submicron double-gate GaN-MESFETs |
| Auteur: |
Lakhdar, N. Djeffal, F. |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (2011) nr. 4 pagina's 382-387 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |