|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep defect levels in diode structures based on gallium phosphide |
| Auteur: |
Bocharova, I. A. Malyshev, S. A. |
| Verschenen in: |
Journal of applied spectroscopy |
| Paginering: | Jaargang 73 (2006) nr. 1 pagina's 85-89 |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Consultants Bureau, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |