|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Design and Analysis of InGaN-GaN Modulation Doped Field-Effect Transistors (MODFETs) for Over 60 GHz Operation |
| Auteur: |
Islam, S. K. Jain, F. C. Zhao, G. Heller, E. |
| Verschenen in: |
International journal of infrared and millimeter waves |
| Paginering: | Jaargang 19 (1998) nr. 12 pagina's 1633-1647 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Plenum Publishers, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |