|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
FinFET based ultra-low power 3T GC-eDRAM with very high retention time in sub-22 nm |
| Auteur: |
Seyedzadeh Sany, Bahareh Ebrahimi, Behzad |
| Verschenen in: |
Analog integrated circuits and signal processing |
| Paginering: | Jaargang 113 () nr. 1 pagina's 27-39 |
| Jaar: |
2022-05-31 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |