|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial ScAlN: Transistors through high ScN fraction thin films |
| Auteur: |
Hardy, Matthew T. Meyer, David J. |
| Verschenen in: |
Semiconductors and semimetals |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's 1-19 |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |