|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 390 gevonden artikelen
| Titel: |
Band gap engineering and electronic structure of Cu2Ni(Sn,Ge,Si)Se4 kesterites: A DFT perspective on new earth-abundant semiconductors for high-performance photovoltaics |
| Auteur: |
Raufov, Iskandar Nematov, Dilshod Murodzoda, Saidjaafar Ashurov, Anushervon Sattorzoda, Sakhidod |
| Verschenen in: |
Next materials |
| Paginering: | Jaargang 8 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 390 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |