|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
The annealing treatment of interface states in planar and recessed-anode AlGaN/GaN Schottky barrier diodes |
| Auteur: |
Ren, Yan Pang, Chao Zhang, Baijun Liu, Honghui Ni, Yiqiang Zhou, Shengze |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 198 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 27 gevonden artikelen
| << vorige |