|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel 4H–SiC power MOSFET with source-side poly-Si/SiC heterojunctions for single-event effects hardening |
| Auteur: |
Yu, Qisheng Chen, Wensuo Huang, Jiaweiwen Shen, Zhigang Lin, Zeshun Peng, Haiqing Shu, Hang Li, Jian |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 198 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 27 gevonden artikelen
| volgende >> |