|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Drain current sensitivity analysis using a surface potential-based analytical model for AlGaN/GaN double gate MOS-HEMT |
| Auteur: |
Sriramani, P. Mohankumar, N. Prasamsha, Y. |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |