|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of interface structure in the active region on photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells |
| Auteur: |
Shi, Kaiju Wang, Chengxin Li, Rui Deng, Jianyang Sun, Haofeng Xu, Xiangang Ji, Ziwu |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 177 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |