|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
A comparative analysis of GaN and InGaN/GaN coupling channel HEMTs on silicon carbide substrate for high linear RF applications |
| Auteur: |
Murugapandiyan, P. Kalva, Sri Rama Krishna Rajyalakshmi, V. Princy, B. Anni Tarauni, Yusuf U. Fletcher, Augustine Wasim, Mohd |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 177 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 13 gevonden artikelen
| volgende >> |