|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of novel RF AlGaN/GaN HEMTs with the structure of n-Si drain extension |
| Auteur: |
Jiang, Yi-Zhou Mo, Wei-Ye Wang, Wei Ma, Hong-Ping Yu, Guo-Dong Ge, Qin Zhang, Kai Huang, Wei Xiao, Zhi-Qiang |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 174 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |