|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of back barrier material effects on the scalability of Fe-doped recess-gated AlN/GaN HEMTs for next generation RF power electronics |
| Auteur: |
Mounika, B. Ajayan, J. Bhattacharya, Sandip Nirmal, D. |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 171 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |