|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Research on the effect of gate etching depth on the performance of GaN-based HEMTs under medium source-drain etching |
| Auteur: |
Li, Jialin Yin, Yian Liao, Fengbo Lian, Mengxiao Zhang, Xichen Zhang, Keming Xie, Yafang Wu, You Zou, Bingzhi Zhang, Zhixiang Li, Jingbo |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |