|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
On the origin of off-state leakage current in n-p-n vertical structures for GaN-based trench-MOSFETs |
| Auteur: |
Kamiński, Maciej Abendroth, Kamil Gołębiowska, Aneta Szczepański, Aleksander Urbanowski, Krzysztof Brzozowski, Ernest Tarenko, Jarosław Sadowski, Oskar Wierzbicka, Justyna Kruszka, Renata Kosiel, Kamil Jankowska-Śliwińska, Joanna Jóźwik, Iwona Szerling, Anna Król, Krystian Prystawko, Paweł Boćkowski, Michał Grzegory, Izabella Taube, Andrzej |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 11 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |