|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Physical mechanism of field modulation effects in ion implanted edge termination of vertical GaN Schottky barrier diodes |
| Auteur: |
Yin, Ruiyuan Li, Chiachia Zhang, Bin Wang, Jinyan Fu, Yunyi Wen, Cheng P. Hao, Yilong Shen, Bo Wang, Maojun |
| Verschenen in: |
Fundamental research |
| Paginering: | Jaargang 2 () nr. 4 pagina's 629-634 |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |