|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Nonvolatile memory characteristics associated with oxygen ion exchange in thin-film transistors with indium-zinc oxide channel and HfO2-x gate oxide |
| Auteur: |
Han, Jimin Jeong, Boyoung Kim, Yuri Suh, Joonki Jeong, Hongsik Kim, Hyun-Mi Yoon, Tae-Sik |
| Verschenen in: |
Materials today advances |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |