|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of X-ray irradiation on threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN and MIS Gates |
| Auteur: |
Qi, Yongle Wang, Denggui Zhou, Jianjun Zhang, Kai Kong, Yuechan Wu, Suzhen Chen, Tangsheng |
| Verschenen in: |
Nanotechnology and precision engineering |
| Paginering: | Jaargang 3 () nr. 4 pagina's 241-243 |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |