|
A dislocation-driven laminated relaxation process in Si1 − xGex grown on Si (001) by molecular beam epitaxy |
|
|
|
Titel: |
A dislocation-driven laminated relaxation process in Si1 − xGex grown on Si (001) by molecular beam epitaxy |
Auteur: |
Xia, S. Zhang, W. Yuan, Z. Li, J. Ye, J. Gu, Y. Miao, Y. Li, C. Deng, Y. Shen, A. Lu, H. Chen, Y.-F. |
Verschenen in: |
Materials today nano |
Paginering: |
Jaargang 16 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2021 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|