|
Comparative analysis of structure and interfacial electrical properties of transition metal oxide layers grown on GaN using atomic layer deposition |
|
|
|
Titel: |
Comparative analysis of structure and interfacial electrical properties of transition metal oxide layers grown on GaN using atomic layer deposition |
Auteur: |
Tomašiūnas, R. Mandl, M. Reklaitis, I. Malinauskas, T. Stanionytė, S. Paipulas, D. Ritasalo, R. Taeger, S. Strassburg, M. Sakoda, K. |
Verschenen in: |
Surfaces and interfaces |
Paginering: |
Jaargang 60 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|