|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 108 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth mechanism of HfO2 film on H-terminated Si (100) surface from atomic layer deposition process using tetrakis(ethylmethylamino)hafnium |
| Auteur: |
Tai, Truong Ba Nguyen, Phuong Minh Lim, Jonghun Shin, Hyeyoung |
| Verschenen in: |
Surfaces and interfaces |
| Paginering: | Jaargang 53 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 108 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |