|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement of SiO2 surface morphology during the selective Si3N4 etching in the multi-layered 3D NAND Si3N4/SiO2 stack structures by the generation of CO2 gas through the control of redox reaction |
| Auteur: |
Kim, Taehyeon Park, Taegun Son, Changjin Lim, Sangwoo |
| Verschenen in: |
Surfaces and interfaces |
| Paginering: | Jaargang 35 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |