|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 109 gevonden artikelen
| Titel: |
Interface engineering of β-Ga2O3 MOS-type Schottky barrier diode using an ultrathin HfO2 interlayer |
| Auteur: |
Labed, Madani Min, Ji Young Hong, Jung Yeop Jung, Young-Kyun Kyoung, Sinsu Kim, Kyung Won Heo, Kwang Kim, Hojoong Choi, Kyungwho Sengouga, Nouredine Rim, You Seung |
| Verschenen in: |
Surfaces and interfaces |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 109 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |