|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 7 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of the effect of passivation layers on capacitance of AlGaN/GaN heterostructures |
| Auteur: |
Enisherlova, Kira L. Goryachev, Vladimir G. Rusak, Tatyana F. Kapilin, Semen A. |
| Verschenen in: |
Modern electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 2 (2016) nr. 4 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The National University of Science and Technology MISiS |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 7 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |