|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of non-volatile memory transistor by charge compensation of interfacial ionic polarization of a ferroelectric gate dielectric |
| Auteur: |
Chakraborty, Rajarshi Pal, Nila Pandey, Utkarsh Pramanik, Subarna Paliwal, Srishti Suman, Swati Gupta, Akanksha Singh, Akhilesh Kumar Swaminathan, Parasuraman Roy, Pradip Kumar Pal, Bhola Nath |
| Verschenen in: |
Applied materials today |
| Paginering: | Jaargang 33 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |