|
Controlled chemical etching leads to efficient silicon–bismuth interface for photoelectrochemical CO2 reduction to formate |
|
|
|
Titel: |
Controlled chemical etching leads to efficient silicon–bismuth interface for photoelectrochemical CO2 reduction to formate |
Auteur: |
Ding, P. Hu, Y. Deng, J. Chen, J. Zha, C. Yang, H. Han, N. Gong, Q. Li, L. Wang, T. Zhao, X. Li, Y. |
Verschenen in: |
Materials today chemistry |
Paginering: |
Jaargang 11 (2019) nr. C pagina's 80-85 |
Jaar: |
2019 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|