|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 153 van 263 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigations on the Nitride Interface Engineering at HfO2/Ge stacks for MOS devices |
| Auteur: |
Venkata Rao, G. Kumar, M. Rajesh, T.V. Rama Koti Reddy, D.V. Anjaneyulu, D. Sainath, B. Jagadeesh Chandra, S.V. |
| Verschenen in: |
Materials today: proceedings |
| Paginering: | Jaargang 5 () nr. 1P1 pagina's 650-656 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 153 van 263 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |