|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 48 van 258 gevonden artikelen
| Titel: |
Design and Simulation of Nanoscale Double Gate MOSFET using high K Material and Ballistic Transport Method |
| Auteur: |
Kumar Suhag, Ashok Sharma, Rakesh |
| Verschenen in: |
Materials today: proceedings |
| Paginering: | Jaargang 4 (2017) nr. 9 pagina's 10412-10416 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 48 van 258 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |