|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 83 van 131 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulations of Transient Behavior and Parasitic Effects for 20nm Gate Length of PD SOI nMOSFET |
| Auteur: |
Rehman, Fida Jin, Hai-Bo Li, Jing-Bo Bukhtiar, Arfan Khalid, Muhammad Rizwan, Muhammad Riaz, Saira Naseem, Shahzad |
| Verschenen in: |
Materials today: proceedings |
| Paginering: | Jaargang 2 (2015) nr. 10PB pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 83 van 131 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |