|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical modeling and numerical simulation of novel double-gate InGaAs vertical nanowire transistor device for threshold voltage tuning and improved performance |
| Auteur: |
Subramaniam, Subha Joshi, Sangeeta M. Awale, R.N. |
| Verschenen in: |
Engineering science and technology, an international journal |
| Paginering: | Jaargang 19 (2016) nr. 4 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Karabuk University |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |