|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced breakdown voltage for p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT on AlN/Si with triple trenches: A simulation study |
| Auteur: |
Haziq, Muhaimin Kawarada, Hiroshi Falina, Shaili Syamsul, Mohd |
| Verschenen in: |
Results in physics |
| Paginering: | Jaargang 64 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |