|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 216 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of top barrier thickness from gate capacitance of high mobility III-V semiconductor MOS-HEMT devices |
| Auteur: |
Mim, Nugaira Gahan Kutub, Sayeem Bin Haque, Anisul |
| Verschenen in: |
Results in physics |
| Paginering: | Jaargang 6 (2016) nr. C pagina's 233-234 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 216 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |